2N5415 CDIL
Виробник: CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1/10W
Collector current: 1A
Polarisation: bipolar
Current gain: 30...150
Collector-emitter voltage: 200V
Case: TO39
Frequency: 15MHz
Mounting: THT
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.54 грн |
| 15+ | 28.16 грн |
| 25+ | 25.30 грн |
| 100+ | 23.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5415 CDIL
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2N5415 за ціною від 27.87 грн до 1812.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5415 Код товару: 182182
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39 Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Power dissipation: 1/10W Collector current: 1A Polarisation: bipolar Current gain: 30...150 Collector-emitter voltage: 200V Case: TO39 Frequency: 15MHz Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5415 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N5415 | Виробник : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2N5415 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2N5415 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2N5415 | Виробник : onsemi |
Array |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : TT Electronics - IoT Solutions |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N5415 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-39Package / Case: TO-39 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
2N5415 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5415 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 1 A, 10 W, TO-39, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N5415 | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5415 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |






