Продукція > CDIL > 2N5415
2N5415

2N5415 CDIL

2N5415_6.pdf Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...150
Frequency: 15MHz
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 200V
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.29 грн
13+30.81 грн
25+27.74 грн
37+24.22 грн
102+22.91 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5415 CDIL

Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.

Інші пропозиції 2N5415 за ціною від 26.48 грн до 1866.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5415
Код товару: 182182
Додати до обраних Обраний товар

132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : CDIL 2N5415_6.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...150
Frequency: 15MHz
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.35 грн
8+38.39 грн
25+33.29 грн
37+29.06 грн
102+27.50 грн
500+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Microchip Technology LDS_0305_2n5415_16-3442417.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1369.84 грн
100+1253.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1866.35 грн
10+1715.14 грн
25+1669.67 грн
50+1568.23 грн
100+1398.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 Виробник : Ignion 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 Виробник : Diodes Incorporated 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 Виробник : ROHM Semiconductor 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 Виробник : onsemi 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Array
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : STMicroelectronics CD00001221-465513.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : TT Electronics - IoT Solutions TTRB_S_A0004899695_1-2565514.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 Виробник : onsemi TN5415A.pdf Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-39
Package / Case: TO-39
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : STMicroelectronics 15505cd00001221.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Microchip Technology 132282-lds-0305-datasheet Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : MULTICOMP PRO 2861201.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5415 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 10
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Semelab (TT electronics) 2n5415_16csm4.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : Semelab 2n5415_16csm4.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415 2N5415 Виробник : STMicroelectronics 2N5415%2C%202N5416.pdf Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.