Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N5415S
2N5415S

2N5415S Microchip Technology

2n5415.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2200.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5415S Microchip Technology

Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.

Інші пропозиції 2N5415S за ціною від 2809.58 грн до 2809.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5415S 2N5415S Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2809.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S Виробник : ST 132283-lds-0305-1-datasheet
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Виробник : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Виробник : Microchip Technology 132283-lds-0305-1-datasheet Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Виробник : Microchip Technology LDS-0305-1_2N5415-16(S).pdf Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.