2N5415S Microchip Technology


2n5415.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+2672.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5415S Microchip Technology

Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.

Інші пропозиції 2N5415S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5415S 2N5415S Microchip Technology 132283-lds-0305-1-datasheet Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Microchip Technology LDS_0305_1_2N5415_16_S.pdf Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S MICROCHIP TECHNOLOGY 132283-lds-0305-1-datasheet Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 750mW; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 0.75W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2N5415S Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 132283-lds-0305-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S LDS_0305_1_2N5415_16_S.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 132283-lds-0305-1-datasheet
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 750mW; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 0.75W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2n5415.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415S 2n5415.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.