Технічний опис 2N5415S Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2N5415S за ціною від 2648.35 грн до 2648.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5415S | Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| 2N5415S | ST |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5415S |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 2648.35 грн |