Технічний опис 2N5415S ST
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2N5415S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5415S | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N5415S | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5415S |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5415S |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.