2N5415U4 Microchip Technology



Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A U4
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5415U4 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 200V 1A U4, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: U4, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N5415U4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5415U4 Microchip Technology LDS_0305_2_2n5415_16_U4_.pdf Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5415U4 LDS_0305_2_2n5415_16_U4_.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.