на замовлення 266 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.48 грн |
| 42+ | 29.02 грн |
| 113+ | 27.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5416 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N5416 за ціною від 29.94 грн до 1754.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5416 Код товару: 17794
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: TO-39 fT: 15 MHz Uке, В: 300 V Uкб, В: 350 V |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
2N5416 | Виробник : Cicor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |








