Технічний опис 2N5416S MOTOROLA
Description: TRANS PNP 300V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2N5416S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5416S | Виробник : Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
2N5416S | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N5416S | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N5416S | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N5416S | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |