Технічний опис 2N5416S MOTOROLA
Description: TRANS PNP 300V 1A TO39, Power - Max: 750 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5416S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5416S | Виробник : Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
