
2N5550TA Fairchild Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6368+ | 3.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5550TA Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N5550TA за ціною від 2.42 грн до 21.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 7759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N5550TA | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz |
товару немає в наявності |