Продукція > ONSEMI > 2N5550TAR
2N5550TAR

2N5550TAR onsemi

2N5550-D.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+5.01 грн
4000+4.33 грн
6000+4.07 грн
10000+3.56 грн
14000+3.40 грн
20000+3.24 грн
50000+2.86 грн
100000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TAR onsemi

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TAR за ціною від 4.01 грн до 23.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.69 грн
6000+6.78 грн
10000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 85147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.09 грн
24+13.24 грн
100+8.27 грн
500+5.74 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5550_D-1801436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.83 грн
23+15.31 грн
100+8.40 грн
500+6.20 грн
1000+5.37 грн
2000+4.61 грн
4000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.