Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5550TAR
2N5550TAR

2N5550TAR ON Semiconductor

2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3695+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3695 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3695 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TAR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TAR за ціною від 4.41 грн до 27.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.38 грн
4000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.72 грн
6000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
21+14.98 грн
100+9.41 грн
500+6.53 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+27.50 грн
19+16.44 грн
100+9.05 грн
500+6.69 грн
1000+5.86 грн
2000+4.94 грн
4000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+5.38 грн
4000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2n5550jp-d.pdf
2N5550TAR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+10.72 грн
6000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.67 грн
21+14.98 грн
100+9.41 грн
500+6.53 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.50 грн
19+16.44 грн
100+9.05 грн
500+6.69 грн
1000+5.86 грн
2000+4.94 грн
4000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2n5550jp-d.pdf
2N5550TAR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.