
2N5550TAR ON Semiconductor
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3254+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5550TAR ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5550TAR за ціною від 3.16 грн до 23.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5550TAR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N5550TAR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |