2N5550TAR ON Semiconductor


2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3139+4.52 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TAR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TAR за ціною від 4.05 грн до 23.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.80 грн
4000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 93928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.78 грн
23+13.39 грн
100+8.39 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.79 грн
23+14.29 грн
100+7.82 грн
500+5.80 грн
1000+5.10 грн
2000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+4.80 грн
4000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 93928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.78 грн
23+13.39 грн
100+8.39 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.79 грн
23+14.29 грн
100+7.82 грн
500+5.80 грн
1000+5.10 грн
2000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.