Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5550TFR
2N5550TFR

2N5550TFR ON Semiconductor

2n5550jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TFR за ціною від 2.89 грн до 19.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6368+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.29 грн
4000+3.69 грн
6000+3.47 грн
10000+3.03 грн
14000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2200+5.63 грн
6000+4.95 грн
10000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 2200
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.55 грн
48+8.26 грн
100+5.10 грн
500+3.81 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.26 грн
29+10.29 грн
100+6.11 грн
500+4.57 грн
1000+4.10 грн
2000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5550-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.44 грн
34+10.33 грн
100+6.27 грн
500+4.68 грн
1000+4.23 грн
2000+3.40 грн
4000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 17491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.60 грн
28+11.48 грн
100+7.13 грн
500+4.93 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.