2N5550TFR ON Semiconductor


2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4824+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 4824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4824 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TFR за ціною від 3.04 грн до 22.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+3.37 грн
258+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.55 грн
4000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 113792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5275+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 5275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.58 грн
6000+7.57 грн
10000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.63 грн
26+12.15 грн
100+7.56 грн
500+5.23 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR ONSEMI 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.03 грн
37+11.55 грн
100+7.37 грн
200+6.38 грн
261+3.74 грн
716+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.65 грн
23+13.50 грн
100+7.30 грн
500+5.34 грн
1000+4.74 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
232+3.37 грн
258+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.55 грн
4000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2n5550-d.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 113792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5275+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 5275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2n5550jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+8.58 грн
6000+7.57 грн
10000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.63 грн
26+12.15 грн
100+7.56 грн
500+5.23 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.03 грн
37+11.55 грн
100+7.37 грн
200+6.38 грн
261+3.74 грн
716+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.PDF 2n5550-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.65 грн
23+13.50 грн
100+7.30 грн
500+5.34 грн
1000+4.74 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.