на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4452+ | 2.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5550TFR ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5550TFR за ціною від 2.31 грн до 22.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N5550TFR | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 112874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N5550TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N5550TFR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 8418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N5550TFR | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 101585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
2N5550TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |