Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5550TFR
2N5550TFR

2N5550TFR ON Semiconductor

2n5550-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5550TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5550TFR за ціною від 2.25 грн до 19.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4452+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 4452
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6368+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+3.78 грн
261+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3013+4.05 грн
6000+3.88 грн
10000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3013
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.31 грн
4000+3.71 грн
6000+3.49 грн
10000+3.04 грн
14000+2.90 грн
20000+2.77 грн
50000+2.43 грн
100000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5550_D-1801436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
30+11.51 грн
100+6.84 грн
500+5.00 грн
1000+4.56 грн
2000+3.53 грн
4000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 101585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
27+11.50 грн
100+7.17 грн
500+4.96 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Виробник : ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.