Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR > 2N5551 PBFREE
2N5551 PBFREE

2N5551 PBFREE Central Semiconductor

2N5550_2N5551.PDF
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.91 грн
10+65.77 грн
100+37.92 грн
500+29.96 грн
1000+27.02 грн
2500+23.67 грн
5000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551 PBFREE Central Semiconductor

Description: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551 PBFREE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5551 PBFREE 2N5551 PBFREE Central Semiconductor 2n5550_2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREE Central Semiconductor Corp Description: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREE 2n5550_2n5551.pdf
2N5551 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.