2N5551 TIN/LEAD

2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor


get_document-1510795.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.93 грн
10+76.54 грн
25+66.48 грн
100+46.25 грн
250+46.17 грн
500+36.80 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551 TIN/LEAD за ціною від 32.11 грн до 116.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551 TIN/LEAD 2N5551 TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Corp 2N5550_2N5551.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.75 грн
10+71.28 грн
100+47.62 грн
500+35.17 грн
1000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.