Продукція > ONSEMI > 2N5551G
2N5551G

2N5551G onsemi

2n5550-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3806
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551G за ціною від 7.26 грн до 7.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5551G Виробник : ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2N5551G Виробник : ON 2n5550-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5551G Виробник : ON 2n5550-d.pdf 05+06+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5551G Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5551G 2N5551G Виробник : ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5551G 2N5551G Виробник : onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5551G 2N5551G Виробник : onsemi 2N5551_D-1801438.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
товар відсутній