Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TF
2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor

2n5551-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 1.46 грн до 21.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4465+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4465
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3563+3.42 грн
3598+3.39 грн
4839+2.52 грн
6277+1.87 грн
6466+1.68 грн
6667+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3563
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.35 грн
4000+3.75 грн
6000+3.52 грн
10000+3.07 грн
14000+2.93 грн
20000+2.79 грн
50000+2.45 грн
100000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2156+5.66 грн
6000+5.08 грн
10000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 2156
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+8.44 грн
120+5.07 грн
122+4.96 грн
191+3.07 грн
250+2.81 грн
500+2.01 грн
1000+1.55 грн
3000+1.50 грн
6000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+19.66 грн
52+11.80 грн
100+7.41 грн
500+5.25 грн
1000+4.46 грн
2000+3.63 грн
4000+3.11 грн
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 101838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.12 грн
27+11.55 грн
100+7.24 грн
500+5.00 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-3006505.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 12349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.44 грн
28+12.67 грн
100+6.92 грн
500+5.06 грн
1000+4.91 грн
2000+4.17 грн
4000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.