2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor


2n5551-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.58 грн до 20.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.46 грн
4000+3.84 грн
6000+3.61 грн
10000+3.14 грн
14000+3.00 грн
20000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2728+4.56 грн
2753+4.52 грн
2783+4.47 грн
2815+4.26 грн
3000+3.91 грн
6000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 2728
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+8.66 грн
143+4.99 грн
144+4.94 грн
146+4.71 грн
250+4.32 грн
500+4.10 грн
1000+4.06 грн
3000+4.02 грн
6000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
32+12.94 грн
100+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 12416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.66 грн
34+10.80 грн
100+6.52 грн
500+5.05 грн
1000+4.27 грн
2000+3.65 грн
4000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+19.20 грн
65+11.07 грн
100+7.52 грн
500+5.53 грн
1000+4.39 грн
2000+3.44 грн
4000+3.10 грн
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 43567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.15 грн
28+11.89 грн
100+7.42 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.90 грн
19+16.12 грн
100+8.47 грн
500+5.40 грн
1000+4.56 грн
2000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.