2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.41 грн до 18.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3425+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.04 грн
4000+3.48 грн
6000+3.27 грн
10000+2.85 грн
14000+2.72 грн
20000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2728+4.74 грн
2743+4.72 грн
2753+4.70 грн
2768+4.51 грн
3000+4.15 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 2728
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+5.14 грн
145+5.11 грн
146+4.90 грн
250+4.51 грн
500+4.32 грн
1000+4.29 грн
3000+4.27 грн
6000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.05 грн
41+10.03 грн
100+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+15.73 грн
80+9.24 грн
116+6.42 грн
500+4.65 грн
1000+3.75 грн
2000+2.94 грн
4000+2.69 грн
6000+2.68 грн
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 11641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.41 грн
34+9.50 грн
100+5.74 грн
500+4.44 грн
1000+3.76 грн
2000+3.21 грн
4000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.06 грн
25+12.49 грн
100+6.96 грн
500+4.83 грн
1000+4.21 грн
2000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 36872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.43 грн
28+10.80 грн
100+6.72 грн
500+4.65 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.