Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TF
2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 18000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.75 грн до 20.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551TF 2N5551TF onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.12 грн
4000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2728+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2674+5.29 грн
2684+5.27 грн
3000+5.25 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 2674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+5.37 грн
142+5.14 грн
250+4.74 грн
500+4.53 грн
1000+4.52 грн
3000+4.50 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2203+6.42 грн
6000+6.02 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+8.81 грн
140+5.40 грн
201+3.76 грн
500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI 2N5551T-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
40+10.57 грн
100+6.72 грн
200+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.70 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
2N5551TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.12 грн
4000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2728+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2674+5.29 грн
2684+5.27 грн
3000+5.25 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 2674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+5.37 грн
142+5.14 грн
250+4.74 грн
500+4.53 грн
1000+4.52 грн
3000+4.50 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2203+6.42 грн
6000+6.02 грн
10000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+8.81 грн
140+5.40 грн
201+3.76 грн
500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
2N5551TF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
40+10.57 грн
100+6.72 грн
200+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
2N5551TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
26+11.70 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
2N5551TF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.