2N5551TF onsemi


2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+4.08 грн
4000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 3.58 грн до 29.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2728+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2651+5.34 грн
2665+5.31 грн
2674+5.29 грн
3000+5.07 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+5.43 грн
140+5.40 грн
141+5.16 грн
250+4.77 грн
500+4.55 грн
1000+4.53 грн
3000+4.51 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI 2N5551T-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
41+10.28 грн
100+6.51 грн
200+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.01 грн
26+12.36 грн
100+6.68 грн
500+4.89 грн
1000+4.41 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.57 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.54 грн
43+17.82 грн
100+11.08 грн
500+7.86 грн
1000+6.43 грн
2000+5.18 грн
4000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2728+5.19 грн
4000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2651+5.34 грн
2665+5.31 грн
2674+5.29 грн
3000+5.07 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
139+5.43 грн
140+5.40 грн
141+5.16 грн
250+4.77 грн
500+4.55 грн
1000+4.53 грн
3000+4.51 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+17.86 грн
41+10.28 грн
100+6.51 грн
200+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.01 грн
26+12.36 грн
100+6.68 грн
500+4.89 грн
1000+4.41 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.15 грн
26+11.57 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+29.54 грн
43+17.82 грн
100+11.08 грн
500+7.86 грн
1000+6.43 грн
2000+5.18 грн
4000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.