Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TF
2N5551TF

2N5551TF ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TF за ціною від 2.35 грн до 18.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3788+3.43 грн
6000+3.25 грн
10000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3788
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.17 грн
4000+3.60 грн
6000+3.38 грн
10000+2.95 грн
14000+2.81 грн
20000+2.68 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2825+4.60 грн
4000+4.16 грн
6000+4.12 грн
10000+3.43 грн
14000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 2825
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2728+4.76 грн
2743+4.74 грн
2753+4.72 грн
2768+4.53 грн
3000+4.17 грн
6000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 2728
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.93 грн
4000+4.46 грн
6000+4.41 грн
10000+3.67 грн
14000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+5.16 грн
145+5.13 грн
146+4.92 грн
250+4.53 грн
500+4.34 грн
1000+4.31 грн
3000+4.29 грн
6000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 0.625W
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.47 грн
43+9.97 грн
100+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+16.08 грн
79+9.45 грн
114+6.56 грн
500+4.76 грн
1000+3.83 грн
2000+3.00 грн
4000+2.75 грн
6000+2.73 грн
10000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 11265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.22 грн
34+9.77 грн
100+5.90 грн
500+4.56 грн
1000+3.86 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TF 2N5551TF Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 60613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.95 грн
28+11.10 грн
100+6.95 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.