Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7937+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 7937
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 2.56 грн до 20.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2526+4.89 грн
2646+4.67 грн
2778+4.45 грн
2924+4.07 грн
3087+3.57 грн
6000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 2526
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+9.48 грн
128+5.53 грн
129+5.48 грн
135+5.05 грн
250+4.47 грн
500+4.08 грн
1000+3.88 грн
3000+3.67 грн
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.90 грн
48+8.32 грн
100+5.59 грн
500+4.28 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.89 грн
32+10.91 грн
100+6.33 грн
500+4.90 грн
1000+4.37 грн
2000+3.46 грн
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.55 грн
28+11.53 грн
100+7.15 грн
500+4.95 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.28 грн
29+10.36 грн
100+6.70 грн
500+5.14 грн
1000+4.59 грн
2000+4.10 грн
4000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.