Продукція > ONSEMI > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR onsemi

2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.21 грн
4000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 3.79 грн до 22.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2146+6.58 грн
6000+6.15 грн
10000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1662+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 1662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI 2N5551T-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.12 грн
34+12.47 грн
100+6.88 грн
500+4.48 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
26+11.90 грн
100+7.43 грн
500+5.13 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.11 грн
58+13.00 грн
100+8.50 грн
500+6.48 грн
1000+5.29 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+22.63 грн
626+22.56 грн
628+22.50 грн
1000+21.65 грн
3000+19.99 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.68 грн
100+21.82 грн
250+20.14 грн
500+19.29 грн
1000+19.24 грн
3000+19.19 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2146+6.58 грн
6000+6.15 грн
10000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1662+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 1662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.12 грн
34+12.47 грн
100+6.88 грн
500+4.48 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.33 грн
26+11.90 грн
100+7.43 грн
500+5.13 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+22.11 грн
58+13.00 грн
100+8.50 грн
500+6.48 грн
1000+5.29 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
624+22.63 грн
626+22.56 грн
628+22.50 грн
1000+21.65 грн
3000+19.99 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.68 грн
100+21.82 грн
250+20.14 грн
500+19.29 грн
1000+19.24 грн
3000+19.19 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.