2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 2.99 грн до 21.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7979+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 7979
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 15474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3178+3.84 грн
3192+3.82 грн
3206+3.81 грн
3219+3.66 грн
3233+3.37 грн
6000+3.22 грн
15000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3178
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3172+3.85 грн
6000+3.73 грн
10000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3172
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 15474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+9.43 грн
110+5.51 грн
111+5.45 грн
170+3.44 грн
250+3.17 грн
500+3.03 грн
1000+3.02 грн
3000+3.00 грн
6000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.70 грн
44+8.99 грн
100+6.12 грн
279+3.25 грн
767+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.03 грн
26+11.20 грн
100+7.34 грн
279+3.90 грн
767+3.69 грн
10000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.12 грн
27+11.63 грн
100+7.25 грн
500+5.01 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-3006505.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 11562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.44 грн
29+12.07 грн
100+6.99 грн
500+5.28 грн
1000+4.69 грн
2000+3.65 грн
10000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.