Продукція > ONSEMI > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR onsemi

2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 3.16 грн до 28.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2408+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 2408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI 2N5551T-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.78 грн
32+13.29 грн
100+7.34 грн
279+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.93 грн
65+11.72 грн
100+7.66 грн
500+5.84 грн
1000+4.77 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
26+11.81 грн
100+7.35 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.55 грн
38+20.48 грн
100+19.70 грн
250+18.19 грн
500+17.41 грн
1000+17.35 грн
3000+17.31 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.01 грн
23+13.12 грн
100+7.09 грн
500+5.27 грн
1000+4.68 грн
2000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551td.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551td.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2408+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 2408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.78 грн
32+13.29 грн
100+7.34 грн
279+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551td.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.93 грн
65+11.72 грн
100+7.66 грн
500+5.84 грн
1000+4.77 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551td.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
715+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
26+11.81 грн
100+7.35 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551td.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.55 грн
38+20.48 грн
100+19.70 грн
250+18.19 грн
500+17.41 грн
1000+17.35 грн
3000+17.31 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.01 грн
23+13.12 грн
100+7.09 грн
500+5.27 грн
1000+4.68 грн
2000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551td.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
502+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.