Продукція > ONSEMI > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR onsemi

2N5551T-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+4.09 грн
4000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 3.58 грн до 23.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2723+5.20 грн
6000+4.98 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1563+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI 2N5551T-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
34+12.35 грн
100+6.82 грн
500+4.44 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 39205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.57 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.73 грн
26+12.36 грн
100+6.68 грн
500+4.96 грн
1000+4.41 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.10 грн
56+13.59 грн
100+9.05 грн
500+6.77 грн
1000+5.53 грн
2000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+23.46 грн
604+23.42 грн
1000+23.39 грн
3000+22.53 грн
6000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.58 грн
33+23.52 грн
100+22.65 грн
250+20.95 грн
500+20.08 грн
1000+20.05 грн
3000+20.03 грн
6000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2723+5.20 грн
6000+4.98 грн
10000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1563+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+16.97 грн
34+12.35 грн
100+6.82 грн
500+4.44 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 39205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.15 грн
26+11.57 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551T-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.73 грн
26+12.36 грн
100+6.68 грн
500+4.96 грн
1000+4.41 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+23.10 грн
56+13.59 грн
100+9.05 грн
500+6.77 грн
1000+5.53 грн
2000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
603+23.46 грн
604+23.42 грн
1000+23.39 грн
3000+22.53 грн
6000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+23.58 грн
33+23.52 грн
100+22.65 грн
250+20.95 грн
500+20.08 грн
1000+20.05 грн
3000+20.03 грн
6000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.