Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3732+3.40 грн
3769+3.36 грн
3907+3.24 грн
4044+3.02 грн
4202+2.69 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3732
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 2.67 грн до 21.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3433+3.69 грн
6000+3.46 грн
10000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+9.28 грн
134+5.41 грн
136+5.36 грн
200+3.51 грн
250+3.22 грн
500+2.98 грн
1000+2.88 грн
3000+2.77 грн
6000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.75 грн
48+8.73 грн
100+5.87 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.54 грн
28+11.95 грн
100+7.43 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 653 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.30 грн
29+10.88 грн
100+7.04 грн
500+5.40 грн
1000+4.83 грн
2000+4.31 грн
4000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.41 грн
30+12.37 грн
100+6.64 грн
500+5.14 грн
1000+4.59 грн
2000+3.64 грн
10000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.