Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5551TFR
2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor

2n5551t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3433+3.58 грн
6000+3.36 грн
10000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5551TFR за ціною від 2.58 грн до 23.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7979+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 7979
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2389+5.15 грн
2526+4.87 грн
2679+4.59 грн
2852+4.16 грн
3049+3.60 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2389
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+9.81 грн
120+5.87 грн
121+5.81 грн
128+5.32 грн
250+4.66 грн
500+4.21 грн
1000+3.96 грн
3000+3.70 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi / Fairchild 2N5551T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.02 грн
32+11.25 грн
100+6.37 грн
500+4.93 грн
1000+4.40 грн
2000+3.49 грн
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
Frequency: 100MHz
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.56 грн
43+9.40 грн
100+6.29 грн
278+3.33 грн
764+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.68 грн
28+11.61 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.48 грн
26+11.71 грн
100+7.54 грн
278+4.00 грн
764+3.78 грн
10000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551TFR 2N5551TFR Виробник : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.