Технічний опис 2N5560 SILICONI
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Supplier Device Package: TO-63, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції 2N5560
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5560 Код товару: 66783 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||
| 2N5560 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 W |
товар відсутній |
||
| 2N5560 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |