2N5560 SILICONI


Виробник: SILICONI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5560 SILICONI

Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Supplier Device Package: TO-63, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції 2N5560

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5560
Код товару: 66783
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5560 Виробник : Microchip Technology Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5560 Виробник : Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.