2N5582

2N5582 Microchip Technology


2n5581-2n5582-mil-prf-19500-423.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1272.78 грн
30+1254.51 грн
60+922.42 грн
90+792.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5582 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N5582

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5582 Виробник : MOT 6091-2n5581-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5582 Виробник : MOT 6091-2n5581-datasheet CAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5582 2N5582 Виробник : Microchip Technology 2n5581-2n5582-mil-prf-19500-423.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5582 2N5582 Виробник : Microchip Technology 2n5581.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5582 2N5582 Виробник : Microchip Technology 6091-2n5581-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5582 Виробник : Microchip Technology 2N5581_2N5582_MIL_PRF_19500_423-3499807.pdf Bipolar Transistors - BJT 50V Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.