2N5598 General Semiconductor
Виробник: General SemiconductorDescription: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2802.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5598 General Semiconductor
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції 2N5598
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5598 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
||
| 2N5598 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |