Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5657G
2N5657G

2N5657G ON Semiconductor

2n5655-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5657G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126, Power - Max: 20 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N5657G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5657G 2N5657G onsemi 2n5655-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657G 2N5657G onsemi 2N5655_D-2309524.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657G 2n5655-d.pdf
2N5657G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657G 2N5655_D-2309524.pdf
2N5657G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.