2N5660 Microchip Technology


LDS_0184-1661338.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2549.87 грн
100+ 2335 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5660 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 200V 2A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2N5660

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5660 Виробник : MOT 122692-lds-0184-datasheet
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5660 Виробник : MOTOROLA 122692-lds-0184-datasheet
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5660 Виробник : Microchip Technology 122692-lds-0184-datasheet Description: TRANS NPN 200V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній