Технічний опис 2N5667 Microsemi
Description: TRANS NPN 300V 5A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2N5667
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5667 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| 2N5667 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N5667 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N5667 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 300V 5A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W |
товар відсутній |