Продукція > MICROSEMI > 2N5667
2N5667

2N5667 Microsemi

LDS-0062-602288.pdf
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 93 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5667 Microsemi

Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.2 W.

Інші пропозиції 2N5667 за ціною від 4142.91 грн до 4142.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5667 Microsemi Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4142.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5667
Виробник: Microsemi
Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4142.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.