Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5686G
2N5686G

2N5686G ON Semiconductor

2n5684-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1443.30 грн
25+1307.16 грн
50+1271.74 грн
100+1180.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5686G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції 2N5686G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5686G 2N5686G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G 2N5686G onsemi 2N5684-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G ON 2N5684-D.PDF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5686G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G 2N5684-D.PDF
2N5686G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5686G 2N5684-D.PDF
Виробник: ON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.