2N5686G ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 891.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5686G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N5686G за ціною від 725.72 грн до 1520.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5686G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 50A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5686G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5686G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2N5686G | Виробник : ON |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
2N5686G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2N5686G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |