2N5770 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 15V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Supplier Device Package: TO-92-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Frequency - Transition: 900MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 625mW
Gain: 15dB
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5770 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 15V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA, Supplier Device Package: TO-92-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Frequency - Transition: 900MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 625mW, Gain: 15dB, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції 2N5770 APM TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5770 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 15V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5770 APM TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 15V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator
Bipolar Transistors - BJT 15V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.