Технічний опис 2N5822 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції 2N5822 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5822 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
2N5822 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5822 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5822 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW
Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.