2N5883G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5883G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray.
Інші пропозиції 2N5883G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5883G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 2mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
2N5883G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2N5883G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5883G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5883G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.



