2N5883G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 570.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5883G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції 2N5883G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5883G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N5883G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N5883G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5883G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5883G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5883G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.