Технічний опис 2N5884 ST/ON
Description: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Verlustleistung Pd: 200, Übergangsfrequenz ft: 4, Bauform - Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 25, Betriebstemperatur, max.: 200, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2N5884
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5884 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N5884 | EVVO |
Description: SILICON PNP POWER TRANSISTORS,TO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5884 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N5884 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
2N5884 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5884 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
2N5884 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: SILICON PNP POWER TRANSISTORS,TO
Description: SILICON PNP POWER TRANSISTORS,TO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





