2N5884G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5884G ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N5884G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5884G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 25A TO204Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 2mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
2N5884G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5884G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5884G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Description: TRANS PNP 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5884G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.



