2N5885G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
74+ | 274.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5885G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції 2N5885G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N5885G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
2N5885G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
2N5885G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
2N5885G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||
2N5885G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
||
2N5885G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 25A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
||
2N5885G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN |
товар відсутній |