Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5886G
2N5886G

2N5886G ON Semiconductor

2n5883-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+407.53 грн
100+387.45 грн
500+367.37 грн
1000+333.75 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5886G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 25A TO204, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V.

Інші пропозиції 2N5886G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5886G 2N5886G Виробник : onsemi 2n5883-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886G 2N5886G Виробник : onsemi 2N5883_D-1801462.pdf Bipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.