2N5961 onsemi

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N5961 onsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N5961

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
2N5961	Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2N5961	onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2N5961	ROHM Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

2N5961

Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N5961

Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N5961

Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.