Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR > 2N6027 APP PBFREE
2N6027 APP PBFREE

2N6027 APP PBFREE Central Semiconductor

2N6027_6028.pdf
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+267.21 грн
10+172.65 грн
100+110.33 грн
500+98.46 грн
1000+92.87 грн
2000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6027 APP PBFREE Central Semiconductor

Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 2 µA, Voltage - Offset (Vt): 1.6 V, Current - Valley (Iv): 50 µA, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.

Інші пропозиції 2N6027 APP PBFREE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N6027 APP PBFREE Central Semiconductor Corp Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6027 APP PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.