2N6027 TRB TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6027 TRB TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 2 µA, Voltage - Offset (Vt): 1.6 V, Current - Valley (Iv): 50 µA, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Інші пропозиції 2N6027 TRB TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6027 TRB TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW |
товару немає в наявності |