2N6028 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6028 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Інші пропозиції 2N6028 APM TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6028 APM TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT |
товару немає в наявності |