2N6028RLRA ON

Виробник: ON
05+06+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис 2N6028RLRA ON

Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92, Power Dissipation (Max): 300 mW, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Part Status: Obsolete, Current - Valley (Iv): 25 µA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Peak: 150 nA, Voltage: 40V, Voltage - Output: 11V, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Cut Tape (CT).

Інші пропозиції 2N6028RLRA

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2N6028RLRA	On Semiconductor	Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2N6028RLRA	onsemi	Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Power Dissipation (Max): 300 mW Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Part Status: Obsolete Current - Valley (Iv): 25 µA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Peak: 150 nA Voltage: 40V Voltage - Output: 11V Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

2N6028RLRA

Виробник: On Semiconductor
Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N6028RLRA

Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Power Dissipation (Max): 300 mW
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Part Status: Obsolete
Current - Valley (Iv): 25 µA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Peak: 150 nA
Voltage: 40V
Voltage - Output: 11V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.