2N6028RLRAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Power Dissipation (Max): 300 mW
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Part Status: Obsolete
Current - Valley (Iv): 25 µA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Peak: 150 nA
Voltage: 40V
Voltage - Output: 11V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6028RLRAG onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92, Power Dissipation (Max): 300 mW, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Part Status: Obsolete, Current - Valley (Iv): 25 µA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Peak: 150 nA, Voltage: 40V, Voltage - Output: 11V, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2N6028RLRAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6028RLRAG | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N6028RLRAG |
Виробник: On Semiconductor
Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.