
2N6036G ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6036G ONSEMI
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції 2N6036G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N6036G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N6036G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N6036G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |