2N6052G

2N6052G ON Semiconductor


2n6052-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6052G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції 2N6052G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N6052G 2N6052G Виробник : onsemi 2n6052-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6052G 2N6052G Виробник : onsemi 2N6052_D-2309475.pdf Darlington Transistors 12A 100V Bipolar Power PNP
товар відсутній