2N6193QFN/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6193QFN/TR Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2N6193QFN/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6193QFN/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT TR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6193QFN/TR |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT TR
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.