| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 4976.68 грн |
| 100+ | 4728.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6233 GENERAL SEMI GSI
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N6233 за ціною від 4479.02 грн до 4976.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6233 | Виробник : GENERAL SEMI GSI |
 2N6233 |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N6233 | Виробник : GENERAL SEMI GSI |
2N6233 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N6233 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
2N6233 | Виробник : General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|||||||||
| 2N6233 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| 2N6233 | Виробник : Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |