2N6297 PBFREE Central Semiconductor
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington
Bipolar Transistors - BJT 4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1335.33 грн |
| 10+ | 1159.46 грн |
| 30+ | 980.96 грн |
| 60+ | 926.42 грн |
| 120+ | 871.88 грн |
| 270+ | 844.62 грн |
| 510+ | 790.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6297 PBFREE Central Semiconductor
Description: 4A 80V TH TRANSISTOR-BIPOLAR POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-66, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 50 W.
Інші пропозиції 2N6297 PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6297 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 4A 80V TH TRANSISTOR-BIPOLAR POW Packaging: Tube Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-66 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
товару немає в наявності |