на замовлення 100 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4607.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6308 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції 2N6308
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6308 | Виробник : MOT |
01+ TO-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N6308 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
2N6308 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 8A 125000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N6308 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 8A 125000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
2N6308 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |


