Технічний опис 2N6316 ON
Description: TRANS NPN 80V 7A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 4V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.
Інші пропозиції 2N6316
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6316 | Виробник : Solitron |
 2N6316^SOLITRON |
товару немає в наявності |
||
 |
2N6316 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 7A 90000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
2N6316 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 7A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 90 W |
товару немає в наявності |
|
| 2N6316 | Виробник : Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |