Продукція > MOTOROLA > 2N6322

2N6322 MOTOROLA


Виробник: MOTOROLA

на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6322 MOTOROLA

Description: POWER BJT, Power - Max: 350 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N6322

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N6322 Microchip Technology Description: POWER BJT
Power - Max: 350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6322 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6322
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6322
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.