2N6338G ON Semiconductor


2n6338-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6338G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 25A TO204, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray.

Інші пропозиції 2N6338G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6338G 2N6338G onsemi 2N6338_D-2309258.pdf Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 200W NPN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6338G 2N6338G ON Semiconductor 2n6338-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6338G 2N6338_D-2309258.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 200W NPN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6338G 2n6338-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.