2N6351E3 Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2323.41 грн |
| 100+ | 2126.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6351E3 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-33, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N6351E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6351E3 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans Darlington NPN 150V 5A 1000mW |
товару немає в наявності |
||
| 2N6351E3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 150V 5A 1000mW |
товару немає в наявності |
||
| 2N6351E3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-33 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |