Технічний опис 2N6423 MOTOROLA
Description: TRANS PNP 300V 2A TO66, Power - Max: 35 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N6423
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N6423 | Solid State Inc. |
Description: TRANS PNP 300V 2A TO66Power - Max: 35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Box |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6423 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N6423 | Microchip Technology / Atmel |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6423 |
![]() |
Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 300V 2A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Box
Description: TRANS PNP 300V 2A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6423 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6423 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology / Atmel
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.



