Технічний опис 2N6512 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 300V 7A TO204AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 4A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 3V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 120 W.
Інші пропозиції 2N6512
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N6512 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 300V 7A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 120 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6512 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6512 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 300V 7A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 120 W
Description: TRANS NPN 300V 7A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 120 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6512 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.


