2N6517 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6517 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N6517 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6517 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N6517 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
Bipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.