2N6520RLRAG ON Semiconductor
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 75+ | 9.44 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6520RLRAG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 625 mW. 
Інші пропозиції 2N6520RLRAG за ціною від 18.63 грн до 21.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW  | 
        
                             на замовлення 113138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||
| 2N6520RLRAG | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - 2N6520RLRAG - SS T092 GP XSTR NPN 350VtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
        
                             на замовлення 113048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||
| 2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||
| 
             | 
        2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||
| 2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||||
| 2N6520RLRAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||
                      | 
        2N6520RLRAG | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

