2N6520TA ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6520TA ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N6520TA за ціною від 3.98 грн до 22.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6520TA | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6520TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 6201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N6520TA | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6520TA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N6520TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2N6520TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2N6520TA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |