2N6551 PBFREE

2N6551 PBFREE Central Semiconductor


2N6551_6556-3193870.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.32 грн
10+314.42 грн
25+261.92 грн
100+239.68 грн
500+203.08 грн
1000+202.36 грн
2500+196.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6551 PBFREE Central Semiconductor

Description: 60V 1A 2W TH TRANSISTOR-BIPOLAR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-202 Long Tab, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 1V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: TO-202, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 10 W.

Інші пропозиції 2N6551 PBFREE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6551 PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp Description: 60V 1A 2W TH TRANSISTOR-BIPOLAR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-202 Long Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: TO-202
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.