Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N6660
2N6660

2N6660 Microchip Technology

87420005509a.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1382.98 грн
25+1340.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6660 Microchip Technology

Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N6660 за ціною від 1382.98 грн до 5173.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1382.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+2839.37 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5173.46 грн
25+5096.41 грн
50+5019.36 грн
125+4768.15 грн
250+2330.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology MOSFET 60V 3Ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 SOLID STATE 2643300.pdf Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1382.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
478+2839.37 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5173.46 грн
25+5096.41 грн
50+5019.36 грн
125+4768.15 грн
250+2330.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660
2N6660
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 3Ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2643300.pdf
2N6660
Виробник: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.