Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N6660
2N6660

2N6660 Microchip Technology

20005509A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1073.00 грн
25+946.60 грн
100+911.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6660 Microchip Technology

Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N6660 за ціною від 1334.66 грн до 5150.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.80 грн
25+1334.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1376.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+2826.70 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5150.36 грн
25+5073.66 грн
50+4996.95 грн
125+4746.87 грн
250+2319.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 Microchip Technology 20005509A.pdf MOSFET 60V 3Ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2N6660 SOLID STATE 2643300.pdf Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1376.80 грн
25+1334.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1376.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
478+2826.70 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 87420005509a.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5150.36 грн
25+5073.66 грн
50+4996.95 грн
125+4746.87 грн
250+2319.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 20005509A.pdf
2N6660
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 3Ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660 2643300.pdf
2N6660
Виробник: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.